DF80R12W2H3FB11BPSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Technische Details DF80R12W2H3FB11BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 80A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote DF80R12W2H3FB11BPSA1 nach Preis ab 138.1 EUR bis 138.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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DF80R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF80R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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DF80R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Description: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 138.1 EUR |
| DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 22-Pin Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)