Produkte > MURATA ELECTRONICS > DFE252008C-2R2M=P2
DFE252008C-2R2M=P2

DFE252008C-2R2M=P2 Murata Electronics

J(E)TE243A-0035.pdf Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 0.18OHM SM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.6A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DFE252008C-2R2M=P2 Murata Electronics

Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 0.8mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.18ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520], usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 1.1A, RMS-Strom Irms: -, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252008C, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote DFE252008C-2R2M=P2 nach Preis ab 0.3 EUR bis 0.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 Hersteller : Murata Electronics J(E)TE243A-0035.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 0.18OHM SM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.6A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
auf Bestellung 3073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+0.81 EUR
37+ 0.71 EUR
43+ 0.61 EUR
50+ 0.56 EUR
100+ 0.51 EUR
250+ 0.48 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 33
DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 Hersteller : Murata Electronics J_E_TE243A_0035-2303250.pdf Power Inductors - SMD
auf Bestellung 6841 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+0.87 EUR
88+ 0.6 EUR
115+ 0.46 EUR
1000+ 0.36 EUR
3000+ 0.32 EUR
24000+ 0.31 EUR
45000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 60
DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 Hersteller : MURATA 2550112.pdf Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.8mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.18ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520]
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 1.1A
RMS-Strom Irms: -
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252008C
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DFE252008C-2R2M=P2 Hersteller : Murata Electronics dfe252008c-2r2m.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.18Ohm DCR 1008 Standard
Produkt ist nicht verfügbar