| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details DFE252008C-2R2M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C Series, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 0.8mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.18ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520], isCanonical: Y, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.1A, Produktlänge: 2.5mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: DFE252008C Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Produktbreite: 2mm.
Weitere Produktangebote DFE252008C-2R2M=P2 nach Preis ab 0.33 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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DFE252008C-2R2M=P2 | Murata Electronics |
 Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 180 MOHMTolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 85°C DC Resistance (DCR): 180mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.6A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252008C-2R2M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C Series, 1008 [Metrisch 2520] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.18ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520] isCanonical: Y RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.1A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252008C Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DFE252008C-2R2M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 180 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.6A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
Description: FIXED IND 2.2UH 950MA 180 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
DC Resistance (DCR): 180mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.6A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
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| 43+ | 0.5 EUR |
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| 1000+ | 0.33 EUR |
| DFE252008C-2R2M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C Series, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.8mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
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Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520]
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Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252008C Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252008C-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 1.1 A, DFE252008C Series, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 0.8mm
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rohsCompliant: YES
Induktivität: 2.2µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.18ohm
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Sättigungsstrom (Isat): 1.1A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252008C Series
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Produktbreite: 2mm
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)