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Technische Details DFE252008U-100M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252008U-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1 A, DFE252008U Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 0.8mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.88ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 0.8mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 600mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252008U Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DFE252008U-100M=P2 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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DFE252008U-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
 Description: FIXED IND 10UH 600MA 0.88OHM SMDPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 85°C DC Resistance (DCR): 880mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 600 mA |
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DFE252008U-100M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252008U-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1 A, DFE252008U Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.88ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 0.8mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 600mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252008U Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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DFE252008U-100M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252008U-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1 A, DFE252008U Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.8mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.88ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252008U Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252008U-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 600MA 0.88OHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 85°C DC Resistance (DCR): 880mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 600 mA |
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| DFE252008U-100M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.6A 0.88Ohm DCR 1008 Standard |
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