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DFE252012F-100M=P2

DFE252012F-100M=P2 Murata

dfe252012f100m.pdf Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
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Technische Details DFE252012F-100M=P2 Murata

Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.48ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 950mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.4A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote DFE252012F-100M=P2 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.52 EUR

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DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-100M=P2 Hersteller : Murata dfe252012f100m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-100M=P2 Hersteller : Murata Electronics m_dfe252012f.ashx Description: FIXED IND 10UH 950MA 0.48OHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
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DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-100M=P2 Hersteller : Murata Electronics J_E_TE243A_0017-3158849.pdf Power Inductors - SMD 10 UH 20%
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DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-100M=P2 Hersteller : MURATA m_dfe252012f.ashx Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-100M=P2 Hersteller : Murata dfe252012f100m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252012F-100M=P2 Hersteller : Murata Electronics dfe252012f-100m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-100M=P2 Hersteller : Murata Electronics m_dfe252012f.ashx Description: FIXED IND 10UH 950MA 0.48OHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
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