DFE252012F-100M=P2 Murata
Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| 9000+ | 0.14 EUR |
| 21000+ | 0.13 EUR |
| 30000+ | 0.12 EUR |
| 75000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details DFE252012F-100M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.48ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 950mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.4A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DFE252012F-100M=P2 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.4A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
auf Bestellung 73300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-100M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 10 UH 20% |
auf Bestellung 30641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-100M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 480mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.4A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 10 µH Current Rating (Amps): 950 mA |
auf Bestellung 73578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 950mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DFE252012F-100M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 10µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.48ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.4A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| 9000+ | 0.15 EUR |
| 15000+ | 0.14 EUR |
| 75000+ | 0.13 EUR |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
auf Bestellung 73300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.16 EUR |
| 30000+ | 0.15 EUR |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 516+ | 0.28 EUR |
| 629+ | 0.23 EUR |
| 636+ | 0.22 EUR |
| 643+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.95A 0.48Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.28 EUR |
| 516+ | 0.26 EUR |
| 629+ | 0.21 EUR |
| 636+ | 0.2 EUR |
| 643+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
Power Inductors - SMD 10 UH 20%
auf Bestellung 30641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| 9000+ | 0.16 EUR |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
Description: FIXED IND 10UH 950MA 480 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 480mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 950 mA
auf Bestellung 73578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 48+ | 0.37 EUR |
| 57+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 950mA
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DFE252012F-100M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 1.4 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.48ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)