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DFE252012F-1R5M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 1.5UH 2.7A 0.058OHM SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 58mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.8A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1.5 µH
Current Rating (Amps): 2.7 A
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.31 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
| 15000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details DFE252012F-1R5M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-1R5M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1.5µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.058ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 2.7A, RMS-Strom Irms: -A, Sättigungsstrom (Isat): 3.8A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm.
Weitere Produktangebote DFE252012F-1R5M=P2 nach Preis ab 0.33 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1.5 UH 20% |
auf Bestellung 1934 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1.5UH 2.7A 0.058OHM SM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 58mOhm Max Current - Saturation (Isat): 3.8A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 1.5 µH Current Rating (Amps): 2.7 A |
auf Bestellung 20224 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R5M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.058ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 2.7A RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 3.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 2365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R5M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.5 µH, Geschirmt, 3.8 A, DFE252012F, 1008 [Metrisch 2520] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.5µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.058ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 3.8A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 2365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1.5uH 20% 1MHz Metal 2.7A 0.058Ohm DCR 1008 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1.5uH 20% 1MHz Metal 2.7A 0.058Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1.5uH 20% 1MHz Metal Alloy 2.7A 0.058Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252012F-1R5M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1.5uH 20% 1MHz Metal Alloy 2.7A 0.058Ohm DCR 1008 T/R |
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