DFE252012F-R82M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 820NH 3.6A 35 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 35mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.9A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 820 nH
Current Rating (Amps): 3.6 A
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Technische Details DFE252012F-R82M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 820nH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.035ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.6A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 4.9A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DFE252012F-R82M=P2 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DFE252012F-R82M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD .82 UH 20% |
auf Bestellung 4031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-R82M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 820NH 3.6A 35 MOHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 35mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.9A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 820 nH Current Rating (Amps): 3.6 A |
auf Bestellung 7977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-R82M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 820nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.035ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.6A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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DFE252012F-R82M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 820nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.035ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DFE252012F-R82M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Power Inductors - SMD .82 UH 20%
Power Inductors - SMD .82 UH 20%
auf Bestellung 4031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 0.33 EUR |
| 12+ | 0.25 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| DFE252012F-R82M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 820NH 3.6A 35 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 35mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.9A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 820 nH
Current Rating (Amps): 3.6 A
Description: FIXED IND 820NH 3.6A 35 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 35mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.9A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 820 nH
Current Rating (Amps): 3.6 A
auf Bestellung 7977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 0.39 EUR |
| 56+ | 0.32 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| DFE252012F-R82M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
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Induktivität: 820nH
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
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Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series
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Induktivität: 820nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
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Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DFE252012F-R82M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series
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Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
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Induktivität: 820nH
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Induktivitätstoleranz: ± 20%
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
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Sättigungsstrom (Isat): 4.9A
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euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)