DFE252012F-R82M=P2 Murata
Hersteller: MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 0.82uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.6A 0.035Ohm DCR 1008 T/R
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Technische Details DFE252012F-R82M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 820nH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.035ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.6A, RMS-Strom Irms: -A, Sättigungsstrom (Isat): 4.9A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm.
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 820NH 3.6A 0.035OHM SM Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 35mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.9A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 820 nH Current Rating (Amps): 3.6 A |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.82uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.6A 0.035Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD .82 UH 20% |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 820NH 3.6A 0.035OHM SM Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 35mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.9A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 820 nH Current Rating (Amps): 3.6 A |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 820nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.035ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.6A RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 4.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-R82M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 820 nH, Geschirmt, 4.9 A, DFE252012F tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 820nH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.035ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 4.9A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F productTraceability: No Produktbreite: 2mm |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.82uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.6A 0.035Ohm DCR 1008 T/R |
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| DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.82uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.035Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252012F-R82M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
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