DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Collector current: 19A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 43+ | 1.67 EUR |
| 48+ | 1.5 EUR |
| 54+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
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Technische Details DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 196W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 25A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG10X06T1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DG10X06T1 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 196W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |