DG120X07T2 STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: -
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 240A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 36.39 EUR |
| 10+ | 24.48 EUR |
| 12+ | 18.37 EUR |
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Technische Details DG120X07T2 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG120X07T2 - IGBT, 240 A, 1.3 V, 1.25 kW, 650 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V, MSL: -, Verlustleistung: 1.25kW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Dauerkollektorstrom: 240A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote DG120X07T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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DG120X07T2 | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS Collector-emitter voltage: 650V Power dissipation: 893W Gate charge: 0.86µC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 360A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 282ns Kind of package: tube Case: TO247PLUS Turn-off time: 334ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Mounting: THT |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DG120X07T2 |
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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
Gate charge: 0.86µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 360A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 282ns
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS
Turn-off time: 334ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 893W
Gate charge: 0.86µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 360A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 282ns
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS
Turn-off time: 334ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Mounting: THT
auf Bestellung 21 Stücke:
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