DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Collector current: 15A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 138W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.63 EUR |
| 22+ | 3.26 EUR |
| 28+ | 2.56 EUR |
| 30+ | 2.42 EUR |
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Technische Details DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DG15X12T2 nach Preis ab 2.42 EUR bis 3.63 EUR
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DG15X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247 Collector current: 15A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 103ns Turn-off time: 484ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 138W Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DG15X12T2 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG15X12T2 - IGBT, 30 A, 1.75 V, 138 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 138W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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