DG25X12T2 STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
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Technische Details DG25X12T2 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 573W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DG25X12T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DG25X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247 Kind of package: tube Turn-off time: 362ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 348W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.19µC Mounting: THT Case: TO247 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Turn-on time: 36ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DG25X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247 Kind of package: tube Turn-off time: 362ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 348W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.19µC Mounting: THT Case: TO247 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Turn-on time: 36ns |
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