DG40X12T2 STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 487W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 15.57 EUR |
| 23+ | 10.48 EUR |
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Technische Details DG40X12T2 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 487W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG40X12T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DG40X12T2 | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247 Collector current: 40A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Turn-off time: 668ns Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 468W Gate charge: 0.27µC Type of transistor: IGBT Turn-on time: 198ns |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DG40X12T2 |
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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 668ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 0.27µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 198ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 668ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 468W
Gate charge: 0.27µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 198ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)