DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector current: 40A
Case: TO247
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Collector-emitter voltage: 1200V
Power dissipation: 468W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 487, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote DG40X12T2 nach Preis ab 4.39 EUR bis 6.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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DG40X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector current: 40A Case: TO247 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 198ns Turn-off time: 668ns Collector-emitter voltage: 1200V Power dissipation: 468W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 0.27µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DG40X12T2 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 487 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |