DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.59 EUR |
| 13+ | 5.93 EUR |
| 16+ | 4.65 EUR |
| 17+ | 4.39 EUR |
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Technische Details DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 487W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG40X12T2 nach Preis ab 4.39 EUR bis 6.59 EUR
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DG40X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 468W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Turn-on time: 198ns Turn-off time: 668ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DG40X12T2 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG40X12T2 - IGBT, 80 A, 1.75 V, 487 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 487W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |