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DG4157EDN-T1-GE4

DG4157EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix

dg4157e.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
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Technische Details DG4157EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, On-State Resistance (Max): 1.2Ohm, -3db Bandwidth: 152MHz, Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1), Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V, Charge Injection: -5pC, Crosstalk: -41dB @ 10MHz, Switch Circuit: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max), Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns, Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA, Part Status: Active, Number of Circuits: 1.

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DG4157EDN-T1-GE4 DG4157EDN-T1-GE4 Hersteller : Vishay / Siliconix dg4157e.pdf Multiplexer Switch ICs SPDT 2:1 Mutiplxr 1.65-5.5V; 0.7ohm
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