DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.62 EUR |
| 18+ | 4.16 EUR |
| 20+ | 3.68 EUR |
| 30+ | 3.3 EUR |
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Technische Details DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DG50X07T2 nach Preis ab 3.3 EUR bis 4.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DG50X07T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 714W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.35µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 36ns Turn-off time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DG50X07T2 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG50X07T2 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |