DG75X12T2

DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Turn-on time: 163ns
auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.76 EUR
7+11.48 EUR
10+10.14 EUR
30+9.11 EUR
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Technische Details DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.415kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote DG75X12T2 nach Preis ab 9.11 EUR bis 12.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DG75X12T2 DG75X12T2 Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C6305E349BC0D4&compId=DG75X12T2.pdf?ci_sign=6870fffac38988f06ea3f058d156baec961dc468 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Turn-on time: 163ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.76 EUR
7+11.48 EUR
10+10.14 EUR
30+9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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DG75X12T2 DG75X12T2 Hersteller : STARPOWER Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.415kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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