DG75X12T2 STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.415kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 28.33 EUR |
| 11+ | 22.91 EUR |
| 13+ | 17.24 EUR |
| 50+ | 14.89 EUR |
| 100+ | 13.9 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
9 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DG75X12T2 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X12T2 - IGBT, 150 A, 1.75 V, 1.415 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.415kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG75X12T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DG75X12T2 | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 852W Case: TO247PLUS Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 0.49µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 559ns Turn-on time: 163ns |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DG75X12T2 |
|
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Turn-on time: 163ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 559ns
Turn-on time: 163ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)