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DHG10I1200PA

DHG10I1200PA IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA3EDC532694143&compId=DHG10I1200PA.pdf?ci_sign=ff3d10ce111358f641abd5b1e2ef9390ef4a4d84 Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Type of diode: rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.23V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 85W
Features of semiconductor devices: fast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.09 EUR
41+1.77 EUR
43+1.69 EUR
50+1.62 EUR
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Technische Details DHG10I1200PA IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DHG10I1200PA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 10 A, Einfach, 2.38 V, 75 ns, 70 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 70A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.38V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: DHG10, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DHG10I1200PA DHG10I1200PA Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA3EDC532694143&compId=DHG10I1200PA.pdf?ci_sign=ff3d10ce111358f641abd5b1e2ef9390ef4a4d84 Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 10A; tube; Ifsm: 60A; TO220AC; 85W
Type of diode: rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.23V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Technology: Sonic FRD™
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 85W
Features of semiconductor devices: fast switching
auf Bestellung 158 Stücke:
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DHG10I1200PA DHG10I1200PA Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYSS05794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DHG10I1200PA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 10 A, Einfach, 2.38 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.38V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: DHG10
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DHG10I1200PA Hersteller : IXYS media-3323307.pdf Small Signal Switching Diodes 10 Amps 1200V
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.14 EUR
10+2.11 EUR
100+1.99 EUR
500+1.88 EUR
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DHG10I1200PA DHG10I1200PA Hersteller : IXYS DHG10I1200PA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
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