DI005N06SQ2 Diotec Semiconductor
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Technische Details DI005N06SQ2 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DI005N06SQ2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DI005N06SQ2 | Hersteller : DIOTEC |
 Description: DIOTEC - DI005N06SQ2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.04 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| DI005N06SQ2 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DI005N06SQ2 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DI005N06SQ2 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
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| DI005N06SQ2 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |