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DI025N06BPT

DI025N06BPT Diotec Semiconductor


Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 65V, 25A, 21m, 175C
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Technische Details DI025N06BPT Diotec Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 25A; Idm: 100A; 20W; QFN3X3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 65V, Drain current: 25A, Power dissipation: 20W, Case: QFN3X3, On-state resistance: 21mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 100A, Gate charge: 10nC, Kind of package: reel; tape.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI025N06BPT DIOTEC SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 25A; Idm: 100A; 20W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 25A
Power dissipation: 20W
Case: QFN3X3
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
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DI025N06BPT
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 25A; Idm: 100A; 20W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 25A
Power dissipation: 20W
Case: QFN3X3
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 10nC
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