DI028N10PQ2-AQ DIOTEC
Hersteller: DIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DI028N10PQ2-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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DI028N10PQ2-AQ | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI028N10PQ2-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
MOSFETs (Field Effect Transistors) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI028N10PQ2-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 32.7W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI028N10PQ2-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DI028N10PQ2-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI028N10PQ2-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 130A; 32.7W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 32.7W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |