DI045N10PQ-AQ Diotec Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.03 EUR |
| 10+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| 2500+ | 1.69 EUR |
| 5000+ | 1.42 EUR |
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Technische Details DI045N10PQ-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DI045N10PQ-AQ | Hersteller : DIOTEC |
 Description: DIOTEC - DI045N10PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0065 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| DI045N10PQ-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI045N10PQ-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DI045N10PQ-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0065OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A Power Dissipation (Max): 110W Supplier Device Package: PowerQFN 5x6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI045N10PQ-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 400A; 40W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 39A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 40W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |