DI050N04PT-AQ Diotec Semiconductor
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 40V, 50A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3255 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.51 EUR |
| 19+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
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Technische Details DI050N04PT-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.
Weitere Produktangebote DI050N04PT-AQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DI050N04PT-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
auf Bestellung 4881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI050N04PT-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI050N04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5700 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm |
auf Bestellung 4881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI050N04PT-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3255, Qg, нКл = 59, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 1,7, Р, Вт = 37, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerQFN 3x3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
verfügbar 4 Stücke: |