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DI080N06PQ-AQ

DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

4408134.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.92 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.46 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 4408134.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
50+4.64 EUR
100+2.92 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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DI080N06PQ-AQ Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf DI080N06PQ-AQ
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.74 EUR
250+2.3 EUR
500+1.74 EUR
1250+1.57 EUR
2500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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DI080N06PQ-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3845 Stücke:
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10+3.58 EUR
100+2.46 EUR
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DI080N06PQ-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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hazardous: false
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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64+2.74 EUR
250+2.3 EUR
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