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DI100N10PQ

DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di100n10pq.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: QFN5x6
On-state resistance: 6.6mΩ
auf Bestellung 4164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.09 EUR
42+2.06 EUR
100+1.43 EUR
250+1.26 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Technische Details DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI100N10PQ DI100N10PQ DIOTEC 4408137.pdf Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
auf Bestellung 2508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.32 EUR
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DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
auf Bestellung 4069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+3.15 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DI100N10PQ DI100N10PQ DIOTEC 4408137.pdf Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
71+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf DI100N10PQ
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.55 EUR
100+1.86 EUR
250+1.62 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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DI100N10PQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 4965 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
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2500+1.36 EUR
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Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
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DI100N10PQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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70+2.55 EUR
100+1.86 EUR
250+1.62 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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