DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
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| Anzahl | Preis |
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| 34+ | 2.14 EUR |
| 43+ | 1.67 EUR |
| 66+ | 1.09 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
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Technische Details DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DI100N10PQ nach Preis ab 0.99 EUR bis 3.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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DI100N10PQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 480A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DI100N10PQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N |
auf Bestellung 3216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI100N10PQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V |
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DI100N10PQ | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DI100N10PQ | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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| DI100N10PQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
DI100N10PQ |
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| DI100N10PQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI100N10PQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V |
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