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DI110N04PQ-AQ

DI110N04PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di110n04pq.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 2.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 42W
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+1.95 EUR
68+1.26 EUR
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Technische Details DI110N04PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.56 EUR
100+1.08 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ DIOTEC di110n04pq.pdf Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
145+1.48 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.83 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ DIOTEC di110n04pq.pdf Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.68 EUR
87+2.67 EUR
145+1.48 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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DI110N04PQ-AQ di110n04pq.pdf
DI110N04PQ-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.32 EUR
10+1.56 EUR
100+1.08 EUR
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DI110N04PQ-AQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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8+2.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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DI110N04PQ-AQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 110A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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