DI110N04PQ Diotec Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.87 EUR |
| 12+ | 1.81 EUR |
| 50+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
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Technische Details DI110N04PQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 110A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 42W, Case: QFN5x6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 59nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DI110N04PQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DI110N04PQ | Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DI110N04PQ | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DI110N04PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 42W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI110N04PQ |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| DI110N04PQ |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
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| DI110N04PQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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