DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 19+ | 3.85 EUR |
| 29+ | 2.53 EUR |
| 50+ | 1.46 EUR |
| 53+ | 1.37 EUR |
| 1600+ | 1.33 EUR |
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Technische Details DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DI200N10D2 nach Preis ab 1.37 EUR bis 5.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DI200N10D2 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 185A Pulsed drain current: 950A Power dissipation: 340W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 262nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI200N10D2 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET D2PAK N 100V 200A Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI200N10D2 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |