DI2579N DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 278+ | 0.26 EUR |
| 327+ | 0.22 EUR |
| 376+ | 0.19 EUR |
| 2000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details DI2579N DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DI2579N nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DI2579N | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 15...30 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DI2579N | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI2579N | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN |
auf Bestellung 3029 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI2579N | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI2579N | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI2579N | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W |
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