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Technische Details DI300N10TL Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 1200A; 277.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 300A, Power dissipation: 277.7W, Case: HSOF-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 1.2kA.
Weitere Produktangebote DI300N10TL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| DI300N10TL | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 1200A; 277.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Power dissipation: 277.7W Case: HSOF-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2kA |
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| DI300N10TL |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 1200A; 277.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 277.7W
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 1200A; 277.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 277.7W
Case: HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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