Technische Details DI5A7N65D1K Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.6A, Pulsed drain current: 25A, Power dissipation: 36W, Case: DPAK; TO252AA, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.43Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 18.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
Weitere Produktangebote DI5A7N65D1K
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DI5A7N65D1K | Diotec Semiconductor |
 MOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DI5A7N65D1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI5A7N65D1K |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C
MOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C
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Im Einkaufswagen
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| DI5A7N65D1K |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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