DIF065SIC020

DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDB1E6C84820D6&compId=dif065sic020.pdf?ci_sign=5e19c74d62c333a2b238d400859a806a4f066360 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:

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Anzahl Preis
3+27.73 EUR
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Technische Details DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DIF065SIC020 DIF065SIC020 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDB1E6C84820D6&compId=dif065sic020.pdf?ci_sign=5e19c74d62c333a2b238d400859a806a4f066360 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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DIF065SIC020 DIF065SIC020 Hersteller : Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
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120+72.37 EUR
510+71.65 EUR
1020+69.40 EUR
2520+61.35 EUR
5010+57.69 EUR
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DIF065SIC020 DIF065SIC020 Hersteller : DIOTEC 4397178.pdf Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
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