DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 27.73 EUR |
| 120+ | 27.71 EUR |
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Technische Details DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIF065SIC020 nach Preis ab 27.73 EUR bis 154.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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DIF065SIC020 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 550W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 236nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DIF065SIC020 | Hersteller : Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DIF065SIC020 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 550W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |