DIF065SIC030 Diotec Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.02 EUR |
| 30+ | 27.31 EUR |
| 60+ | 25.44 EUR |
| 120+ | 23.87 EUR |
| 510+ | 23.44 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DIF065SIC030 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Weitere Produktangebote DIF065SIC030 nach Preis ab 23.54 EUR bis 51.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIF065SIC030 | Diotec Semiconductor |
 SiC MOSFETs 650V TO-47-4L, N, 105A, 650V, 0m?, 175C |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
DIF065SIC030 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
DIF065SIC030 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 74A Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Pulsed drain current: 105A Kind of package: tube |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| DIF065SIC030 | Diotec Semiconductor |
DIF065SIC030 |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| DIF065SIC030 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs 650V TO-47-4L, N, 105A, 650V, 0m?, 175C
SiC MOSFETs 650V TO-47-4L, N, 105A, 650V, 0m?, 175C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.21 EUR |
| 10+ | 25.55 EUR |
| 120+ | 23.98 EUR |
| 510+ | 23.54 EUR |
| DIF065SIC030 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 51.55 EUR |
| 6+ | 39.15 EUR |
| 10+ | 28.06 EUR |
| DIF065SIC030 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 105A
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 105A
Kind of package: tube
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DIF065SIC030 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
DIF065SIC030
DIF065SIC030
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 48.28 EUR |
| 5+ | 40.32 EUR |
| 10+ | 34.96 EUR |