DIF065SIC030

DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR


dif065sic030.pdf Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
auf Bestellung 29 Stücke:

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Technische Details DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DIF065SIC030 DIF065SIC030 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR dif065sic030.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
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DIF065SIC030 DIF065SIC030 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4397182.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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