DIF065SIC030 DIOTEC
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
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Technische Details DIF065SIC030 DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIF065SIC030 nach Preis ab 18.23 EUR bis 18.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| DIF065SIC030 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4 Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 650V Drain current: 74A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 145nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DIF065SIC030 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4 Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 650V Drain current: 74A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 145nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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