DIF120SIC022 Diotec Semiconductor
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Technische Details DIF120SIC022 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIF120SIC022 nach Preis ab 63.04 EUR bis 128.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DIF120SIC022 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
 Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V |
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DIF120SIC022 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| DIF120SIC022 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
DIF120SIC022 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DIF120SIC022 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 269nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DIF120SIC022 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 269nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W |
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