DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 27.88 EUR |
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Technische Details DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIF120SIC022 nach Preis ab 27.88 EUR bis 120.4 EUR
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DIF120SIC022 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 340W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 269nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DIF120SIC022 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DIF120SIC022 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DIF120SIC022 | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DIF120SIC022 | Hersteller : Diotec Electronics |
DIF120SIC022 |
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