DIF120SIC022

DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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DIF120SIC022 DIF120SIC022 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
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DIF120SIC022 DIF120SIC022 Hersteller : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+129.18 EUR
30+83.69 EUR
120+63.29 EUR
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DIF120SIC022 DIF120SIC022 Hersteller : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
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Anzahl Preis
1+150.85 EUR
10+117.94 EUR
120+70.73 EUR
510+70.03 EUR
1020+67.83 EUR
2520+59.96 EUR
5010+56.39 EUR
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DIF120SIC022 DIF120SIC022 Hersteller : DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DIF120SIC022 Hersteller : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf DIF120SIC022
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Anzahl Preis
2+95.53 EUR
3+83.41 EUR
10+75.41 EUR
30+69.17 EUR
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