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DIF120SIC028

DIF120SIC028 Diotec Semiconductor

dif120sic028.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
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Technische Details DIF120SIC028 Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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DIF120SIC028 DIF120SIC028 Diotec Semiconductor dif120sic028.pdf SiC MOSFETs
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DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC dif120sic028.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR dif120sic028.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Gate charge: 373nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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DIF120SIC028 Diotec Electronics dif120sic028.pdf DIF120SIC028
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Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Gate charge: 373nC
Polarisation: unipolar
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