DIF120SIC053

DIF120SIC053 Diotec Semiconductor


dif120sic053.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.07 EUR
30+9.54 EUR
120+8.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DIF120SIC053 Diotec Semiconductor

Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V.

Weitere Produktangebote DIF120SIC053 nach Preis ab 11.47 EUR bis 63.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Hersteller : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+63.36 EUR
10+49.53 EUR
120+29.71 EUR
510+29.41 EUR
1020+28.49 EUR
2520+25.19 EUR
5010+23.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Hersteller : DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR dif120sic053.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.16 EUR
6+12.28 EUR
7+11.63 EUR
30+11.61 EUR
120+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR dif120sic053.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.16 EUR
6+12.28 EUR
7+11.63 EUR
30+11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 Hersteller : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf DIF120SIC053
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+18.73 EUR
10+17.08 EUR
30+14.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH