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DIF120SIC053

DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR

dif120sic053.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 22 Stücke:
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Technische Details DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.12 EUR
30+12.02 EUR
120+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DIF120SIC053 DIF120SIC053 Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.84 EUR
10+32.71 EUR
120+19.62 EUR
510+14.58 EUR
1020+14.22 EUR
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DIF120SIC053 DIF120SIC053 DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+55.53 EUR
6+45.95 EUR
10+37.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DIF120SIC053 Diotec Electronics dif120sic053.pdf DIF120SIC053
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DIF120SIC053
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
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Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
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DIF120SIC053
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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5+55.53 EUR
6+45.95 EUR
10+37.21 EUR
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Hersteller: Diotec Electronics
DIF120SIC053
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