DIJ4A5N65 DIOTEC
Hersteller: DIOTECDescription: DIOTEC - DIJ4A5N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.3 ohm, ITO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: ITO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details DIJ4A5N65 DIOTEC
Description: DIOTEC - DIJ4A5N65 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.3 ohm, ITO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: ITO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DIJ4A5N65
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DIJ4A5N65 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.7A; Idm: 28A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 28A Drain current: 2.7A Power dissipation: 46W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DIJ4A5N65 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET ITO-220AB N 650V 4.5A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DIJ4A5N65 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.7A; Idm: 28A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 22nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 28A Drain current: 2.7A Power dissipation: 46W |
Produkt ist nicht verfügbar |