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DIT100N10

DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF6116B6DC20C4&compId=dit100n10.pdf?ci_sign=2433903ac6792c29ea347d9ea7444db8048446a1 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 380A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
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100+0.86 EUR
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Technische Details DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote DIT100N10 nach Preis ab 0.84 EUR bis 3.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DIT100N10 DIT100N10 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF6116B6DC20C4&compId=dit100n10.pdf?ci_sign=2433903ac6792c29ea347d9ea7444db8048446a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 380A
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DIT100N10 DIT100N10 Hersteller : Diotec Semiconductor dit100n10.pdf Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
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DIT100N10 DIT100N10 Hersteller : Diotec Semiconductor dit100n10.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
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DIT100N10 DIT100N10 Hersteller : Diotec Semiconductor dit100n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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