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DIT120N08 транзистор

Produktcode: 216962
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Transistoren > MOSFET N-CH

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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR dit120n08.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : Diotec Semiconductor dit120n08.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 80V, 120A, 175C, N
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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Description: MOSFET TO220AB N 80V 0.0049OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
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100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 4397198.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT120N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DIT120N08 DIT120N08 Hersteller : Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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fzt651-datasheet.pdf
FZT651 Transistor bipolar
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-223
fT: 175 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 3 А
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SM-858D Heißluftstation Sinometer SMD Rework Station 700W 100 ° C … 450 ° C 120L/Min LED Anzeige Mikroprozessor gesteuert
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description
SM-858D Heißluftstation Sinometer SMD Rework Station 700W 100 ° C … 450 ° C 120L/Min LED Anzeige Mikroprozessor gesteuert
+5
Hersteller: Sinometer
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Lötstationen
Kategorie: Heißluftpistole
Beschreibung: Heißluftpistole (700 W, 100-450°С, 120l/min.), digital Indikation, 280х190х170mm
Spannung: 220 V
Leistung: 700 W
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10+53.39 EUR
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SN74HC245N
Produktcode: 30067
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74hc245
SN74HC245N
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-20
Beschreibung: Шинний формувач неінвертує двонаправлений
Analog 74хх: THT
Strom.V: 2...6 V
T°C: -40…+125°C
Тип логіч. елем.: Transceiver
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22uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR220M50B-Hitano)
Produktcode: 17714
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EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (EXR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11mm
Lebensdauer: 6,3х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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10+0.044 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.02 EUR
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