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DIT150N03

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Produktcode: 198104
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DIT150N03 DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit150n03.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.38 EUR
59+1.46 EUR
72+1.19 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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DIT150N03 DIT150N03 Diotec Semiconductor dit150n03.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+1.83 EUR
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500+1.3 EUR
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DIT150N03 DIT150N03 Diotec Semiconductor dit150n03.pdf Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
50+1.87 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DIT150N03 DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit150n03.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT150N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
115+2.02 EUR
130+1.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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DIT150N03 DIT150N03 Diotec Semiconductor dit150n03.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 111 Stücke:
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DIT150N03 DIT150N03 Diotec Semiconductor dit150n03.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DIT150N03 Diotec Electronics dit150n03.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
71+2.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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DIT150N03
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
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AnzahlPrivatkunde
36+2.38 EUR
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DIT150N03
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT150N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Diotec Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 679 Stücke:
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57+3.06 EUR
71+2.42 EUR
100+2.17 EUR
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