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DIW040M120

DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.03 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
450+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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Technische Details DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DIW040M120 nach Preis ab 4.29 EUR bis 23.06 EUR

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DIW040M120 DIW040M120 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.03 EUR
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450+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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DIW040M120 DIW040M120 Hersteller : Diotec Semiconductor IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.06 EUR
10+18.02 EUR
120+10.81 EUR
510+10.7 EUR
1020+10.37 EUR
2520+9.17 EUR
5010+8.61 EUR
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DIW040M120 DIW040M120 Hersteller : DIOTEC 4397186.pdf Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
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