DIW040M120 Diotec Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 23.06 EUR |
| 10+ | 18.02 EUR |
| 120+ | 10.81 EUR |
| 510+ | 10.7 EUR |
| 1020+ | 10.37 EUR |
| 2520+ | 9.17 EUR |
| 5010+ | 8.61 EUR |
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Technische Details DIW040M120 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIW040M120 nach Preis ab 4.38 EUR bis 7.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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DIW040M120 | Hersteller : DIOTEC |
 Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| DIW040M120 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW040M120-DIO THT IGBT transistors |
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