DIW050F065 Diotec Semiconductor
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.19 EUR |
| 30+ | 4.53 EUR |
| 120+ | 3.72 EUR |
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Technische Details DIW050F065 Diotec Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 38 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 78 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 350 W.
Weitere Produktangebote DIW050F065 nach Preis ab 3.33 EUR bis 10.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW050F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 350 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Verlustleistung: 350W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DIW050F065 | Diotec Semiconductor |
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0 |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Turn-off time: 245ns Gate charge: 78nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 168ns |
auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DIW050F065 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW050F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 350 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 350W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW050F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 350 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 350W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.34 EUR |
| 55+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |
| DIW050F065 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.81 EUR |
| 10+ | 8.44 EUR |
| 120+ | 5.07 EUR |
| 510+ | 4 EUR |
| 1020+ | 3.88 EUR |
| 2520+ | 3.53 EUR |
| 5010+ | 3.33 EUR |
| DIW050F065 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 78nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 168ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 245ns
Gate charge: 78nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 168ns
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)