DIW065SIC080

DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9695849231E440D6&compId=diw065sic080.pdf?ci_sign=3c60ba4fea4ca879a2be6bd70acd6f26884cb55b Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
12+5.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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Technische Details DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W, Technology: SiC, Mounting: THT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Gate-source voltage: -5...18V, Pulsed drain current: 100A, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 26A, On-state resistance: 75mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 175W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 75nC, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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DIW065SIC080 DIW065SIC080 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9695849231E440D6&compId=diw065sic080.pdf?ci_sign=3c60ba4fea4ca879a2be6bd70acd6f26884cb55b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
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