DIW120SIC023-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Case: TO247-3
Technology: SiC
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 29mΩ
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 84.74 EUR |
| 10+ | 82.58 EUR |
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Technische Details DIW120SIC023-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIW120SIC023-AQ nach Preis ab 82.58 EUR bis 136.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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DIW120SIC023-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W Case: TO247-3 Technology: SiC Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 45nC On-state resistance: 29mΩ Drain current: 100A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 600W Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DIW120SIC023-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DIW120SIC023-AQ | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |