DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 81mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 179nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 27.79 EUR |
| 5+ | 24.88 EUR |
| 10+ | 22.29 EUR |
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Technische Details DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 1.7kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...18V, Kind of package: tube, On-state resistance: 81mΩ, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 357W, Gate charge: 179nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 47A, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DIW170SIC049 nach Preis ab 24.91 EUR bis 44.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs |
auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DIW170SIC049 |
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 44.38 EUR |
| 10+ | 32.32 EUR |
| 120+ | 28.99 EUR |
| 510+ | 24.91 EUR |