
DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 179nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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Technische Details DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 81mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 179nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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DIW170SIC049 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 47A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 81mΩ Mounting: THT Gate charge: 179nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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