DIW170SIC049

DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96959232B748E0D6&compId=diw170sic049.pdf?ci_sign=59288f94458b67626ac0e165759318fe8a374650 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 179nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.83 EUR
5+17.8 EUR
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Technische Details DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 81mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 179nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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DIW170SIC049 DIW170SIC049 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96959232B748E0D6&compId=diw170sic049.pdf?ci_sign=59288f94458b67626ac0e165759318fe8a374650 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 179nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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