DIW170SIC049 Diotec Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 43.9 EUR |
| 30+ | 27.91 EUR |
| 60+ | 26.01 EUR |
| 120+ | 24.42 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DIW170SIC049 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm.
Weitere Produktangebote DIW170SIC049 nach Preis ab 24.15 EUR bis 52.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor |
 SiC MOSFETs |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 357W Gate charge: 179nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 47A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -4...18V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 81mΩ Mounting: THT |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor |
DIW170SIC049 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| DIW170SIC049 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 44.09 EUR |
| 10+ | 26.18 EUR |
| 510+ | 24.15 EUR |
| DIW170SIC049 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 52.6 EUR |
| 6+ | 39.96 EUR |
| 10+ | 28.68 EUR |
| DIW170SIC049 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 179nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 179nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DIW170SIC049 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
DIW170SIC049
DIW170SIC049
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 49.02 EUR |
| 5+ | 42.61 EUR |
| 10+ | 36.85 EUR |