DMB53D0UDW-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 175+ | 1.44 EUR |
| 235+ | 0.99 EUR |
| 409+ | 0.52 EUR |
| 625+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details DMB53D0UDW-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm.
Weitere Produktangebote DMB53D0UDW-7 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMB53D0UDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm |
auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMB53D0UDW-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 175+ | 1.44 EUR |
| 235+ | 0.99 EUR |
| 409+ | 0.52 EUR |
| 625+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |