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DMB53D0UDW-7

DMB53D0UDW-7 DIODES INC.


DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DMB53D0UDW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Hersteller : Diodes Inc ds31675.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor 6-Pin SOT-363 T/R
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DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%231.jpg Description: MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 45V NPN, 50V N-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 100mA PNP, 160mA N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, N-Channel
Applications: General Purpose
Supplier Device Package: SOT-363
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DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%231.jpg MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
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