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DMC1015UPD-13

DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated


DMC1015UPD.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
auf Bestellung 30000 Stücke:

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Technische Details DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.0096 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0096ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0096ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote DMC1015UPD-13 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMC1015UPD-13 DMC1015UPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC1015UPD-3213853.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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5000+0.46 EUR
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DMC1015UPD-13 DMC1015UPD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC1015UPD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
auf Bestellung 32279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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15+1.18 EUR
18+1.03 EUR
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500+0.60 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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DMC1015UPD-13 DMC1015UPD-13 Hersteller : DIODES INC. DMC1015UPD.pdf Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.0096 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0096ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMC1015UPD-13 DMC1015UPD-13 Hersteller : DIODES INC. DMC1015UPD.pdf Description: DIODES INC. - DMC1015UPD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.5 A, 9.5 A, 0.0096 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0096ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMC1015UPD-13 DMC1015UPD-13 Hersteller : Diodes Inc dmc1015upd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 12V/20V 9.5A/6.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
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