DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMC1030UFDB-7 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMC1030UFDB-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 6959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC1030UFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Power - Max: 1.36W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 29584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC1030UFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMC1030UFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMC1030UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.67 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| DMC1030UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 29584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 1.02 EUR |
| 28+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
| DMC1030UFDB-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMC1030UFDB-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)