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DMC1030UFDBQ-7

DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated

DMC1030UFDBQ_Rev2-3_Aug2022.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 1.36W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.35 EUR
15000+0.33 EUR
21000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DMC1030UFDBQ-7 nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC1030UFDBQ-7 DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ_Rev2-3_Aug2022.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
auf Bestellung 27219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMC1030UFDBQ-7 DMC1030UFDBQ-7 DIODES INC. DMC1030UFDBQ_Rev2-3_Aug2022.pdf Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+1.37 EUR
222+1.05 EUR
341+0.63 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC1030UFDBQ-7 DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC1030UFDBQ_Rev2-3_Aug2022.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DMC1030UFDBQ-7 DMC1030UFDBQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002497895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
169+1.38 EUR
257+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs MOSFET BVDSS:
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1000+0.36 EUR
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DMC1030UFDBQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.017 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
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Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2685 Stücke:
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222+1.05 EUR
341+0.63 EUR
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1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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DMC1030UFDBQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 100070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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DMC1030UFDBQ-7 DIOD-S-A0002497895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC1030UFDBQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1030UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
169+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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