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| 2500+ | 0.39 EUR |
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Technische Details DMC2020USD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMC2020USD-13 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 4300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet |
auf Bestellung 12607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 4788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2020USD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMC2020USD-13 Multi channel transistors |
auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMC2020USD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |