DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.15 EUR |
| 20000+ | 0.14 EUR |
| 50000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 350mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMC2990UDJ-7 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
auf Bestellung 32244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
auf Bestellung 104061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2990UDJ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMC2990UDJ-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS
MOSFET MOSFET BVDSS
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.37 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| DMC2990UDJ-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.83 EUR |
| 35+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.22 EUR |
| 2000+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.17 EUR |
| DMC2990UDJ-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)