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DMC2990UDJ-7

DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated

DMC2990UDJ.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 350mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC2990UDJ-7 DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated DMC2990UDJ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
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DMC2990UDJ-7 DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated DMC2990UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 104061 Stücke:
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22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
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DMC2990UDJ-7 DMC2990UDJ-7 DIODES INC. DIODS15996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
341+0.68 EUR
530+0.4 EUR
1000+0.25 EUR
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DMC2990UDJ-7 DMC2990UDJ-7 DIODES INC. DIODS15996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
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FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
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DMC2990UDJ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DMC2990UDJ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
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