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DMC3016LDV-13

DMC3016LDV-13 Diodes Incorporated


DMC3016LDV.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMC3016LDV-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC3016LDV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5180 Stücke:
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500+ 0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 17
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMC3016LDV.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
auf Bestellung 1126 Stücke:
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10+ 0.94 EUR
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1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMC3016LDV-13 DMC3016LDV-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.0095 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMC3016LDV-13 Hersteller : Diodes Zetex 3849dmc3016ldv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DMC3016LDV-13 Hersteller : Diodes Inc 3849dmc3016ldv.pdf Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Power DI
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DMC3016LDV-13 Hersteller : Diodes Zetex 3849dmc3016ldv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
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