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DMC3016LDV-7

DMC3016LDV-7 Diodes Incorporated

DMC3016LDV.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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19+1.14 EUR
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Technische Details DMC3016LDV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 900mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 900mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DMC3016LDV-7 nach Preis ab 1.09 EUR bis 2.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC3016LDV-7 DMC3016LDV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
184+1.26 EUR
188+1.14 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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DMC3016LDV-7 DMC3016LDV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
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188+1.14 EUR
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1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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DMC3016LDV-7
Hersteller: DIODES INC.
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auf Bestellung 1340 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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DMC3016LDV-7
Hersteller: DIODES INC.
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
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